홈 주요뉴스 산업 [컨콜] 삼성전자 "EUV 적용한 3세대 10나노급(1z) D램 개발 중" 기사등록 : 2019년07월31일 11:45 가가 공유 ※ 뉴스 공유하기 카카오톡 페이스북 트위터 주소복사 URL 복사완료 닫기 ※ 본문 글자 크기 조정 가더 작게 가작게 가보통 가크게 가더 크게 닫기 ※ 번역할 언어 선택 닫기 [서울=뉴스핌] 심지혜 기자 = 삼성전자는 31일 진행한 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "지난 3월에는 3세대 10나노급(1z) D램 개발을 극자외선(EUV) 도입 없이 진행한다고 했지만 현재는 EUV를 적용한 공정도 투트랙으로 개발하고 있다"고 말했다. 국내 최고의 해외투자 뉴스 GAM ▶ [미국 특징주] 레딧, 자체 AI로 AI 마케팅 스팸 단속 나서 ▶ [유럽 특징주] 르노 CEO "소형 전기차 R5, 메간보다 수익성 높아" ▶ [미국 특징주] 허니웰 분사 솔스티스, 엘리먼트 솔루션즈 145억달러에 인수 sjh@newspim.com 인사 부고 오늘의 운세 관련기사 # 삼성전자 TOP으로 이동 뒤로가기 닫기
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